ZTX853QSTZ
Номер продукту виробника:

ZTX853QSTZ

Product Overview

Виробник:

Diodes Incorporated

Номер частини:

ZTX853QSTZ-DG

Опис:

PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
Докладний опис:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 130MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Інвентаризація:

12979368
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

ZTX853QSTZ Технічні специфікації

Категорія
Біполярний транзистор (BJT), Єдині біполярні транзистори
Виробник
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Box (TB)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип транзистора
NPN
Струм - колектор (Ic) (макс.)
4 A
Напруга - пробій колекторного випромінювача (макс)
100 V
Vce Насиченість (макс) @ Ib, Ic
200mV @ 400mA, 4A
Струм - граничний струм колектора (макс.)
50nA
Коефіцієнт посилення постійного струму (hFE) (хв) @ IC, Vce
100 @ 2A, 2V
Потужність - Макс
1.2 W
Частота - перехідний
130MHz
Робоча температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Упаковка / Чохол
E-Line-3, Formed Leads
Пакет пристроїв від постачальника
E-Line (TO-92 compatible)

Технічний опис та документи

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
4,000
Інші назви
31-ZTX853QSTZTB

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0075
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
diodes

ZTX450QSTZ

PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

diodes

BCP5416QTA

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

microchip-technology

JANSD2N3498

RH SMALL-SIGNAL BJT