Номер продукту виробника:
DMT6030LFDF-7
Product Overview
Виробник:
Diodes Incorporated
Номер частини:
DMT6030LFDF-7-DG
Опис:
MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
Докладний опис:
N-Channel 60 V 6.8A (Ta) 860mW (Ta), 9.62W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Інвентаризація:
12894825
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
GxXs
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
DMT6030LFDF-7 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
60 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
25.5mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
639 pF @ 30 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
860mW (Ta), 9.62W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чохол
6-UDFN Exposed Pad
Базовий номер товару
DMT6030
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
DMT6030LFDF-7DI
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DMP31D7LW-7
MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323
TSM60N900CP ROG
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
DMTH6005LPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
