Номер продукту виробника:
DMT6012LFV-7
Product Overview
Виробник:
Diodes Incorporated
Номер частини:
DMT6012LFV-7-DG
Опис:
MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333
Докладний опис:
N-Channel 60 V 43.3A (Tc) 1.95W (Ta), 33.78W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UX)
Інвентаризація:
12884294
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
DMT6012LFV-7 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
60 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
43.3A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.5V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
22.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1522 pF @ 30 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1.95W (Ta), 33.78W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
PowerDI3333-8 (Type UX)
Упаковка / Чохол
8-PowerVDFN
Базовий номер товару
DMT6012
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,000
Інші назви
DMT6012LFV-7DI
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Альтернативні моделі
Номер частини
CSD18543Q3AT
ВИРОБНИК
Texas Instruments
КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА
10097
DiGi НОМЕР ЧАСТИ
CSD18543Q3AT-DG
ЦІНА ОДИНИЦІ
0.54
Тип заміни
MFR Recommended
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DMP1011UCB9-7
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
DMN30H14DLY-13
MOSFET N-CH 300V 210MA SOT89
DMTH4004LK3-13
MOSFET N-CH 40V 100A TO252
