Номер продукту виробника:
DMT6012LFDF-7
Product Overview
Виробник:
Diodes Incorporated
Номер частини:
DMT6012LFDF-7-DG
Опис:
MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Докладний опис:
N-Channel 60 V 9.5A (Ta) 900mW (Ta), 11W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Інвентаризація:
3000 Штук Новий Оригінал В наявності
12949427
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
7gL4
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
DMT6012LFDF-7 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
60 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
14mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
2.3V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
785 pF @ 30 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
900mW (Ta), 11W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чохол
6-UDFN Exposed Pad
Базовий номер товару
DMT6012
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
DMT6012LFDF-7-DG
31-DMT6012LFDF-7TR
31-DMT6012LFDF-7DKR
31-DMT6012LFDF-7CT
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DMN55D0UT-7
MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
DMP21D0UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
ZXMP6A17N8TC
MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO
