Номер продукту виробника:
DMP2008UFG-7
Product Overview
Виробник:
Diodes Incorporated
Номер частини:
DMP2008UFG-7-DG
Опис:
MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Докладний опис:
P-Channel 20 V 14A (Ta), 54A (Tc) 2.4W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Інвентаризація:
5482 Штук Новий Оригінал В наявності
12883902
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
DMP2008UFG-7 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
14A (Ta), 54A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
1.5V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
8mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
6909 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
2.4W (Ta), 41W (Tc)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
PowerDI3333-8
Упаковка / Чохол
8-PowerVDFN
Базовий номер товару
DMP2008
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
2,000
Інші назви
DMP2008UFG-7DICT
DMP2008UFG-7DITR
DMP2008UFG7
DMP2008UFG-7DIDKR
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DMN6069SFG-13
MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
DMT6008LFG-7
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333