Номер продукту виробника:
DMN3730UFB-7
Product Overview
Виробник:
Diodes Incorporated
Номер частини:
DMN3730UFB-7-DG
Опис:
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
Докладний опис:
N-Channel 30 V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Інвентаризація:
5234 Штук Новий Оригінал В наявності
12888306
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
1h7c
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
DMN3730UFB-7 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
30 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
750mA (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
1.8V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
460mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
950mV @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
64.3 pF @ 25 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
470mW (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
X1-DFN1006-3
Упаковка / Чохол
3-UFDFN
Базовий номер товару
DMN3730
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
DMN3730UFB-7TR
DMN3730UFB-7DKR
DMN3730UFB-7CT
DMN3730UFB7
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DMP6110SFDFQ-7
MOSFET P-CH 60V 3.5A 6UDFN
BS170FTC
MOSFET N-CH 60V 150UA SOT23-3
DMG3402L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
