DMN2009UFDF-7

Номер продукту виробника:

DMN2009UFDF-7

Product Overview

Виробник:

Diodes Incorporated

Номер частини:

DMN2009UFDF-7-DG

Опис:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

Докладний опис:

N-Channel 20 V 12.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Інвентаризація:

Запит на пропозицію онлайн

13002570

Запросити ціну

Кількість
Мінімум 1

gfn9

(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин

ПОДАТИ

DMN2009UFDF-7 Технічні специфікації

Категорія

ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET

Виробник

Diodes Incorporated

Упаковка

Bulk

Ряд

-

Статус товару

Active

Тип польового транзистора

N-Channel

Технології

MOSFET (Metal Oxide)

Напруга від стоку до джерела (Vdss)

20 V

Струм - безперервний стік (id) @ 25°C

12.8A (Ta)

Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)

2.5V, 4.5V

Rds On (Макс) @ id, vgs

9mOhm @ 8.5A, 4.5V

vgs(th) (макс.) @ id

1.4V @ 250µA

Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs

27.9 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±12V

Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds

1083 pF @ 10 V

Функція польового транзистора

-

Розсіювання потужності (макс.)

1.3W (Ta)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип кріплення

Surface Mount

Пакет пристроїв від постачальника

U-DFN2020-6 (Type F)

Упаковка / Чохол

6-UDFN Exposed Pad

Базовий номер товару

DMN2009

Технічний опис та документи

Технічні специфікації

HTML Технічний лист

DMN2009UFDF-7-DG

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет

3,000

Інші назви

31-DMN2009UFDF-7

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

Ледар Вт Івана

8541.29.0095

Сертифікація DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Суміжні продукти

goford-semiconductor

G75P04D5

MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L

epc-space

EPC7019GC

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

rohm-semi

R6027YNXC7G

NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO

IQE220N15NM5CGATMA1

TRENCH >=100V