DMN2009UFDF-7
Номер продукту виробника:

DMN2009UFDF-7

Product Overview

Виробник:

Diodes Incorporated

Номер частини:

DMN2009UFDF-7-DG

Опис:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Докладний опис:
N-Channel 20 V 12.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Інвентаризація:

13002570
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
svba
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

DMN2009UFDF-7 Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
N-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
12.8A (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
2.5V, 4.5V
Rds On (Макс) @ id, vgs
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1.4V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
27.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
1083 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
1.3W (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Пакет пристроїв від постачальника
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чохол
6-UDFN Exposed Pad
Базовий номер товару
DMN2009

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
3,000
Інші назви
31-DMN2009UFDF-7

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.29.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
goford-semiconductor

G75P04D5

MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L

epc-space

EPC7019GC

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

rohm-semi

R6027YNXC7G

NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO