DMG4468LFG

Номер продукту виробника:

DMG4468LFG

Product Overview

Виробник:

Diodes Incorporated

Номер частини:

DMG4468LFG-DG

Опис:

MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Докладний опис:

N-Channel 30 V 7.62A (Ta) 990mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8

Інвентаризація:

Запит на пропозицію онлайн

12887904

Запросити ціну

Кількість
Мінімум 1

G9sb

(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин

ПОДАТИ

DMG4468LFG Технічні специфікації

Категорія

ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET

Виробник

Diodes Incorporated

Упаковка

-

Ряд

-

Статус товару

Discontinued at Digi-Key

Тип польового транзистора

N-Channel

Технології

MOSFET (Metal Oxide)

Напруга від стоку до джерела (Vdss)

30 V

Струм - безперервний стік (id) @ 25°C

7.62A (Ta)

Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)

4.5V, 10V

Rds On (Макс) @ id, vgs

15mOhm @ 11.6A, 10V

vgs(th) (макс.) @ id

2V @ 250µA

Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs

18.85 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±20V

Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds

867 pF @ 10 V

Функція польового транзистора

-

Розсіювання потужності (макс.)

990mW (Ta)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип кріплення

Surface Mount

Пакет пристроїв від постачальника

U-DFN3030-8

Упаковка / Чохол

8-PowerUDFN

Базовий номер товару

DMG4468

Технічний опис та документи

Технічні специфікації

HTML Технічний лист

Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет

3,000

Інші назви

1034-DMG4468LFGDIDKR

DMG4468LFGDIDKR

1034-DMG4468LFGDITR

DMG4468LFGDITR

DMG4468LFGDICT

1034-DMG4468LFGDICT

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Рівень чутливості до вологи (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

Ледар Вт Івана

8541.21.0095

Альтернативні моделі

Номер частини

RQ3E100MNTB1

ВИРОБНИК

Rohm Semiconductor

КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА

5261

DiGi НОМЕР ЧАСТИ

RQ3E100MNTB1-DG

ЦІНА ОДИНИЦІ

0.40

Тип заміни

MFR Recommended

Номер частини

DMG4468LFG-7

ВИРОБНИК

Diodes Incorporated

КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА

0

DiGi НОМЕР ЧАСТИ

DMG4468LFG-7-DG

ЦІНА ОДИНИЦІ

0.28

Тип заміни

Parametric Equivalent

Номер частини

RQ3E080BNTB

ВИРОБНИК

Rohm Semiconductor

КІЛЬКІСТЬ ДОСТУПНА

40431

DiGi НОМЕР ЧАСТИ

RQ3E080BNTB-DG

ЦІНА ОДИНИЦІ

0.10

Тип заміни

MFR Recommended

Сертифікація DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Суміжні продукти

diodes

DMN3008SFGQ-7

MOSFET N-CH 30V PWRDI3333

diodes

DMN1019USN-13

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

diodes

DMN2025U-7

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3

diodes

BS170PSTOA

MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE