Номер продукту виробника:
DMG1016V-7
Product Overview
Виробник:
Diodes Incorporated
Номер частини:
DMG1016V-7-DG
Опис:
MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Докладний опис:
Mosfet Array 20V 870mA, 640mA 530mW Surface Mount SOT-563
Інвентаризація:
78330 Штук Новий Оригінал В наявності
12891787
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
Мінімум 1
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ
DMG1016V-7 Технічні специфікації
Категорія
ППТ, МОППТ, Польові транзистори (FET), масиви MOSFET
Виробник
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Ряд
-
Статус товару
Active
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Конфігурації
N and P-Channel
Функція польового транзистора
Logic Level Gate
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
870mA, 640mA
Rds On (Макс) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id
1V @ 250µA
Заряд воріт (Qg) (макс) @ Vgs
0.74nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
60.67pF @ 16V
Потужність - Макс
530mW
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Surface Mount
Упаковка / Чохол
SOT-563, SOT-666
Пакет пристроїв від постачальника
SOT-563
Базовий номер товару
DMG1016
Технічний опис та документи
Додаткова інформація
Стандартний пакет
3,000
Інші назви
DMG1016V-7DICT
DMG1016V-7DITR
DMG1016V-7DIDKR
DMG1016V7
Екологічна та експортна класифікація
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
DMC3036LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
DMN2024UTS-13
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
DMNH6021SPD-13
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50