BS250P
Номер продукту виробника:

BS250P

Product Overview

Виробник:

Diodes Incorporated

Номер частини:

BS250P-DG

Опис:

MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
Докладний опис:
P-Channel 45 V 230mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole TO-92

Інвентаризація:

12883281
Запросити ціну
Кількість
Мінімум 1
num_del num_add
*
*
*
*
yC8c
(*) є обов'язковим
Ми зв'яжемося з вами протягом 24 годин
ПОДАТИ

BS250P Технічні специфікації

Категорія
ППТ, МОППТ, Одинарні FET, MOSFET
Виробник
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Ряд
-
Статус товару
Active
Тип польового транзистора
P-Channel
Технології
MOSFET (Metal Oxide)
Напруга від стоку до джерела (Vdss)
45 V
Струм - безперервний стік (id) @ 25°C
230mA (Ta)
Напруга приводу (макс. Rds увімкнено, Min Rds увімкнено)
10V
Rds On (Макс) @ id, vgs
14Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id
3.5V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Вхідна ємність (Ciss) (макс) @ Vds
60 pF @ 10 V
Функція польового транзистора
-
Розсіювання потужності (макс.)
700mW (Ta)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип кріплення
Through Hole
Пакет пристроїв від постачальника
TO-92
Упаковка / Чохол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Базовий номер товару
BS250

Технічний опис та документи

Технічні специфікації
HTML Технічний лист
Таблиці даних

Додаткова інформація

Стандартний пакет
4,000
Інші назви
BS250PTA
BS250P-NDR
MX

Екологічна та експортна класифікація

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Рівень чутливості до вологи (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Ледар Вт Івана
8541.21.0095
Сертифікація DIGI
Суміжні продукти
diodes

DMN6040SVTQ-7

MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26

diodes

DMG8880LK3-13

MOSFET N-CH 30V 11A TO252

diodes

DMN5L06T-7

MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523

diodes

DMG3420U-7

MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3